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IR D类音频功放参考设计实现无散热器
2006年7月7日 10:18  来源:国际电子商情

    国际整流器公司(InternationalRectifier)日前推出IRAUDAMP3D类音频参考设计,这款小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645DirectFET功率MOSFET,可实现无散热器的120W六通道半桥D类音频功率放大器

    据介绍,集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路,可以防止噪声和电源电压波动,有助于在60W、4Ω的情况下实现0.01%的总谐波失真(THD),而在120W、4Ω单通道可实现94%的效率。此外,该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。

    IRAUDAMP3的占板面积为4.5平方英寸,也采用了IRF6645DirectFET功率MOSFET。创新的DirectFET封装技术通过降低引线电感提高了开关性能,并降低了EMI噪声,从而提高了D类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4Ω阻抗下的120W运行,而无需使用散热器,这样不仅缩小了电路寸,还为设计师作电路局提供了更大的灵活性,降低了放大器系统的总体成本。

 
 [关键词]:音频 功放 麦克风  发表评论    【推荐】 【打印

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